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IRF640中文资料

IRF640图片

IRF640外观图

  • 大小:178.23KB
  • 厂家:
  • 描述:HEXFET? Power MOSFET
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:MESH OVERLAY™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大:125W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件
  • 其它名称:497-2759-5

IRF640供应商

更新时间:2023-02-05 19:15:08
  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价
  • IRF640NPBF

    IRF640NPBF
  • 严选现货

    严选现货= 现货+好口碑+品质承诺

    带有此标记的料号:

    1. 表示供应商具有较高市场知名度,口碑良好,缴纳了2万保证金,经维库认证中心严格审查。

    2. 供应商承诺此料号是“现货” ,如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半),投诉成立奖励您500元。

  • 18

  • IR

  • TO220/13+

  • 全新原装现货热卖

  • IRF640NLPBF

  • 优势
  • 1000

  • INFINEON TECHNOLOGIES

  • Trans MOSFET NCH Si 200V 18A 3Pin(3+Tab) TO26/23+

  • 原装,假一罚十

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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